（原标题：三星晶圆代工，签下1183亿元大单）

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据三星电子28日发布的讯息，公司近日与一家外洋巨头执意了半导体代工（晶圆代工）分娩契约，契约金额达22.7648万亿韩元（约合东说念主民币1183亿元），契约时扬弃2033年12月31日。三星电子称，服气交易守密原则，无法公开契约方以及契约细目。

三星晶圆代工， 一季度施展欠安

左证TrendForce的论说，三星晶圆代工在2025年第一季度的营收为28.9亿好意思元，较上一季度下落11.3%。该公司在公共晶圆代工市集的份额也从2024年第四季度的8.1%小幅下落至7.7%。这标明三星未能赢得大客户，原因可能是顶端节点良率低、与系统大范畴集成电路（LSI）部门存在数据分享风险以过火他原因。

TrendForce的筹商成果指出，2025年前三个月三星晶圆代工业务下滑的主要原因有两个。第一，该公司对中国破坏者补贴打算的敞口有限；第二，好意思国对先进节点的适度。

果不其然，台湾的台积电在2025年第一季度以67.6%的市集份额和255亿好意思元的营收领跑公共晶圆代工市集。相通，中国大陆的中芯外洋营收增长了1.8%，达到22.5亿好意思元，市集份额从上一季度的5.5%增长至6%。这些数据正经了中芯外洋在晶圆代工市集第三名的位置。

更紧迫的是，这对三星来说是一个警示，因为它一直在探索不同的计谋，以在晶圆代工鸿沟站稳脚跟。若是这家韩国公司在异日几个月内未能改善其晶圆代工业务，中芯外洋很有可能超越它。理思情况下，三星但愿赶上台积电，但当今它濒临着被中芯外洋夺走第二名的风险。

然则，三星仍然乐不雅地合计，跟着 2nm 制程时间的到来，其市方法位将有所回升。该公司打算将其 2nm Exynos 2600 芯片集成到行将推出的 Galaxy S26 系列中。若是得胜，这将有助于重拾高通和英伟达等主要代工客户的信任。

三星芯片业务有望通过新工艺反弹

三星电子的芯片制造设立贬责决策 (DS) 部门将摄取更紧密的制造工艺，以杀青更快、更重大的狡计才能，旨在赢得公共大型科技公司的订单，这耕种了东说念主们对其从永恒盈利低迷中反弹的预期。

据业内官员本月初骄矜，三星电子副董事长兼 DS 部门确认东说念主全永铉此前拜访了好意思国，并会见了包括英伟达在内的公共大型科技公司的同业。

他的会议细节尚不了了，期货配资但据报说念，他扣问了三星为东说念主工智能 (AI) 处理器提供高带宽内存 (HBM) 的潜在供应以及该公司的代工才能。

这次会议召开之际，该公司近期赢得了摄取10纳米1c级工艺分娩的DRAM的分娩准备批准。该批准适用于已准备好量产的产物。

1c 制程指的是 10 纳米级的第六代制造工艺，分为六个阶段：1x、1y、1z、1a、1b 和 1c。这一朝上体现了更紧密的节点尺寸，从而带来了更重大的狡计才能和更高的能效。1c 制程约莫脱落于 11 纳米。

据悉，三星打算摄取其1c工艺分娩的DRAM行为HBM4的中枢芯片，HBM4是三星、SK海力士和好意思光正在准备在本年下半年量产的最新、起初进的HBM芯片。

SK海力士和好意思光已将其下一代HBM4芯片样品发送给主要客户进行认证测试，但据报说念，已发送的芯片摄取1b工艺制造。三星打算通过使用1c工艺来凸起其HBM4的各别化特质。

行为该打算的一部分，该公司将复原位于京畿说念平泽市的4号工场的扩建。4号工场率先打算为其代工业务加多分娩线，但该公司已决定装配1c工艺的分娩线。

该公司亏蚀的代工业务也在寻求反弹。

三星代工场当前正在摄取其 8 纳米工艺分娩英伟达的 T239 芯片组。T239 是任天国 Switch 2 的主处理器，这款游戏机是任天国有史以来销售最快的游戏机，上市四天公共销量就达 350 万台。科技媒体展望，这款游戏机将为三星带来超越 12 亿好意思元的销售额。

东说念主们对三星更紧密的制造工艺的盼愿也越来越高。三星代工场已开动摄取其 3 纳米工艺为 Galaxy Z Flip 7 量产 Exynos 2500 应用处理器，该处理器将于 7 月 9 日的发布会上亮相。

由于 Exynos 2500 未被三星旗舰产物 Galaxy S25 系列摄取，因此东说念主们对该处理器产生了怀疑，但该公司最近耕种了其分娩良率，并在其网站上文告该处理器现已“量产”。

本年下半年，该公司还将为 Galaxy S26 系列分娩摄取 2 纳米工艺的 Exynos 2600。

据悉，三星晶圆代工场还正愚弄2纳米级和Gate-All-Around本领，争取高通下一代应用处理器和Nvidia图形处理器的订单。

因此，分析师对三星第三季度盈利远景的预测愈加乐不雅。IM证券分析师宋明燮（Song Myung-sub）展望，三星DS部门本年第三季度的营业利润将达到4.61万亿韩元，同比增长19.43%。

宋先生示意：“三星最近已开动全面分娩其1b DDR5，并正在耕种其1c工艺的良率。这些进展标明其在传统DRAM鸿沟的竞争力可能有所复原。然则，其针对Nvidia的12位高HBM3E的认证似乎被推迟了，而其基于1c工艺的HBM4能否得胜仍存在不确定性。”

*免责声明：本文由作家原创。著述骨子系作家个东说念主不雅点，半导体行业不雅察转载仅为了传达一种不同的不雅点，不代表半导体行业不雅察对该不雅点赞同或赈济，若是有任何异议，宽贷联系半导体行业不雅察。

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